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RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統，它使用高密度等離子體來執行光電器件和電子元件所需的化合物半導體或介電膜蝕刻.
獨特的HSTC™線圈可產生均勻的高密度等離子體。最大功率為1kw(可選3kw)，適用于ICP和Bias的射頻等離子體源，用于高速蝕刻。大電導允許在低壓環境下高氣體流量。
電機驅動平臺可以優化晶圓和等離子體之間的距離，以實現高均勻性。
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系統配置 ● 配備先進的ICP源：HSTC™(Hyper Symmetrical Tornado Coil)
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尺寸
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SiC trench MOSFET |
GaAs VCSEL |
Metal etching |
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設備參數
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常務需求
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